Izberite državo ali regijo.

Domov
Izdelki
Diskretnih polprevodniških proizvodov
Tranzistor - bipolarne (BJT) - Array, pre prednape
NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G Image
Slika je lahko predstavitev.
Glejte specifikacije za podrobnosti o izdelku.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Številka dela:
NSVMUN5111DW1T3G
Proizvajalec / znamka:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Opis izdelka:
TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3
Podatkovni listi:
NSVMUN5111DW1T3G.pdf
Status RoHs:
Brez svinca / RoHS
Stanje zalog:
688226 pcs stock
Iz ladje:
Hong Kong
Način pošiljanja:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ZAHTEVAJ PONUDBO

Prosimo, izpolnite vsa obvezna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Kliknite "SUBMIT RFQ"
, kmalu vas bomo kontaktirali po e-pošti. Ali nam pišite: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 688226 pcs Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

  • 10000 pcs
    $0.032
Ciljna cena(USD):
Količina:
Prosimo, navedite nam vašo ciljno ceno, če so količine večje od prikazanih.
Skupaj: $0.00
NSVMUN5111DW1T3G
ime podjetja
Kontaktno ime
E-naslov
Sporočilo
NSVMUN5111DW1T3G Image

Specifikacije NSVMUN5111DW1T3G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
(Kliknite prazno, da se samodejno zapre)
Številka dela NSVMUN5111DW1T3G Proizvajalec AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Opis TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3 Status svobodnega statusa / RoHS Brez svinca / RoHS
Količina na voljo 688226 pcs stock Podatkovni list NSVMUN5111DW1T3G.pdf
Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Vrsta tranzistorja 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Paket naprave za dobavitelja SC-88/SC70-6/SOT-363
Serija - Resistor-Emitter Base (R2) 10 kOhms
Rezistor - osnova (R1) 10 kOhms Moč - maks 250mW
Pakiranje Tape & Reel (TR) Paket / primer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tip montaže Surface Mount Raven občutljivosti na vlago (MSL) 1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja 40 Weeks Status svobodnega statusa / RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frekvenca - prehod - natančen opis Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Trenutna moč (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V Tok - odklop zbiralnika (maks.) 500nA
Tok - zbiralec (Ic) (maks.) 100mA  
Ugasniti

Podobni izdelki

Sorodne oznake

Vroče informacije